Показать предыдущую страницу документа
<p>пункту 3.5.1, для разработки или производства
микропроцессорных микросхем, микрокомпьютерных микросхем
и микросхем микроконтроллеров, имеющих совокупную
теоретическую производительность (СТП) 530 Мтопс или
более и арифметико-логическое устройство с длиной выборки
32 бита или более";
пункт 3.5 дополнить пунктом 3.5.3 следующего содержания:
"3.5.3. Прочие технологии для разработки или производства:
а) вакуумных микроэлектронных приборов;
б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких,
как транзисторы с высокой подвижностью электронов,
биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с
квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках;
в) сверхпроводящих электронных приборов;
г) подложек пленок алмаза для электронных компонентов;
д) подложек из структур кремния на диэлектрике
(КНД-структур) для интегральных схем с диэлектриком из
двуокиси кремния;
е) подложек из карбида кремния для электронных
компонентов";
в пункте 4.1.3.2 цифры "6500" заменить цифрами "28000";
в пункте 4.1.3.4 цифры "3000000" заменить цифрами "200000000";
в пункте 4.1.3.7 слова "80 Мбайт/с" заменить словами
"1,25 Гбайт/с";
пункт 4.4.3.2 изложить в следующей редакции:
"4.4.3.2. Исключен;";
пункт 5.4.1.3.2 изложить в следующей редакции:
"5.4.1.3.2. Исключен;";
в примечании к подпункту "б" пункта 5.5.1.3.4 слова
"установленном Международным союзом электросвязи;" заменить
словами "распределенном Международным союзом электросвязи для
обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;";
подпункт "г" пункта 3 примечаний к части 2 Категории 5
изложить в следующей редакции:
"г) исключен;";
в подпункте "б" пункта 3 примечания к пункту 5.1.2 слова
"защищенной от копирования, доступной только для чтения среде
передачи данных; или" заменить словами "защищенному от копирования
содержимому, хранящемуся на доступном только для чтения носителе
информации; или";
в пункте 6.1.3.1:
слово "приборов" заменить словами "приборов и специально
разработанные для них компоненты";
в примечании к пункту слова "электронных модулей" заменить
словами "сменных плат";
дополнить пункт пунктом 6.1.3.1.6. следующего содержания:
"6.1.3.1.6. Сменные платы, имеющие все следующие 9007190000";
характеристики:
а) специально разработанные для камер
контрольно-измерительных приборов,
имеющих модульную структуру и
контролируемых по пункту 6.1.3.1; и
б) дающие возможность камерам
удовлетворять характеристикам,
установленным в пунктах 6.1.3.1.3,
6.1.3.1.4 или 6.1.3.1.5, в соответствии
с техническими требованиями
производителей
пункт 6.1.3.2.1 дополнить техническим примечанием следующего
содержания:
"Техническое примечание.
Для целей настоящего пункта цифровые видеокамеры должны
оцениваться максимальным числом активных пикселов, используемых
для фиксации движущихся изображений";
в пункте 6.1.4.5:
в подпункте "б" слова "менее 1 нм" заменить словами "менее 1
нм (среднеквадратичную) для выборочного исследования длин, равных
или превышающих 1 мм";
-6
в подпункте "в" слова "более 2,5 х 10 /К" заменить словами
-6
"менее 3 х 10 /К";
в подпунктах 2 подпунктов "а" - "г" пункта 6.1.5.1.1 и в
пунктах 6.1.5.1.2.1, 6.1.5.1.2.2 и 6.1.5.1.2.4 слова "или выходную
мощность в непрерывном режиме" заменить словами "выходную
мощность";
подпункт "а" пункта 6.1.5.1.5.3 изложить в следующей редакции:
"а) кислородно-йодные (О -I) лазеры;";
2
пункт 6.1.5.2 изложить в следующей редакции:
"6.1.5.2. Полупроводниковые лазеры, такие, как: 8541401100;
а) отдельные с единичной поперечной 9013200000";
модой полупроводниковые лазеры, имеющие
все следующие характеристики:
1) длину волны менее 950 нм или более
2000 нм; и
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 100 мВт;
б) отдельные с многократно поперечной
модой полупроводниковые лазеры, имеющие
все следующие характеристики:
1) длину волны менее 950 нм или более
2000 нм; и
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 10 Вт;
в) отдельные решетки отдельных
полупроводниковых лазеров, имеющие
любую из следующих характеристик:
1) длину волны менее 950 нм и среднюю
или выходную мощность в непрерывном
режиме более 60 Вт; или
2) длину волны, равную или превышающую
2000 нм, и среднюю или выходную
мощность в непрерывном режиме более
10 Вт
Техническое примечание.
Полупроводниковые лазеры обычно
называются лазерными диодами
Примечания:
1. Пункт 6.1.5.2 включает
полупроводниковые лазеры, имеющие
оптические выходные соединители
(например, волоконно-оптические гибкие
проводники)
2. Статус контроля полупроводниковых
лазеров, специально предназначенных для
другого оборудования, определяется
статусом контроля другого оборудования;
пункт 6.3.2.2 изложить в следующей редакции:
"6.3.2.2. Монокристаллы (включая эпитаксиальные 3818009000;
пластины) любого из следующего: 8107900000";
а) цинкового теллурида кадмия с
содержанием цинка менее 6 % по молярным
долям;
б) теллурида кадмия (CdTe) любого
уровня чистоты; или
в) ртутного теллурида кадмия (HgCdTe)
любого уровня чистоты
Техническое примечание.
Молярная доля определяется отношением
молей ZnTe к сумме молей CdTe и ZnTe,
присутствующих в кристалле
в пункте 7.1.1:
слово "Акселерометры" заменить словами "Линейные
акселерометры";
дополнить пункт особым примечанием следующего содержания:
"Особое примечание.
Для угловых или вращающихся акселерометров см. пункт 7.1.2";
в пункте 7.1.2:
слово "Гироскопы" заменить словами "Гироскопы и угловые или
вращающиеся акселерометры";
из пункта 2 технических примечаний к пункту 7.2.1 слова
"Особое примечание." исключить;
пункт 9.5.3.4 изложить в следующей редакции:
"9.5.3.4. Технологии, требуемые для разработки или производства
вертолетных систем передачи мощности, или завала
конуса лопастей вертолета, или системы передачи
мощности поворотного крыла летательного аппарата";
пункты 9.5.3.4.1 и 9.5.3.4.2 исключить;
пункт 9.5.3.5.1 считать пунктом 9.5.3.5;
пункты 9.5.3.5.2-9.5.3.5.2.3 считать соответственно пунктами
9.5.3.6-9.5.3.6.3;
пункт 9.5.3.5.3 считать пунктом 9.5.3.7.
2. В разделе 2:
подпункт "а" пункта 2.2.1.2 изложить в следующей редакции:
"а) имеющие все следующие характеристики:
1) точность позиционирования со всей доступной компенсацией,
равную или меньшую (лучшую) 3,6 мкм, в соответствии с
международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным
эквивалентом вдоль любой линейной оси; и
2) три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут
быть одновременно скоординированы для контурного управления;";
в пункте 4.1.3.2 цифры "6500" заменить цифрами "75000".
3. В разделах 1 и 2:
пункт 1.3.7.3 изложить в следующей редакции:
"1.3.7.3. Композиционные материалы типа керамика- 2849;
керамика со стеклянной или оксидной 285000;
матрицей, укрепленные волокнами, 8803909900;
имеющие все следующие характеристики: 930690";
а) изготовленные из любых нижеследующих
материалов:
1) Si-N;
2) Si-C;
3) Si-Al-O-N; или
4) Si-O-N; и
б) имеющие удельную прочность на
3
растяжение, превышающую 12,7 х 10 м;
из пункта 9.2.1 слова "или проведения измерений параметров"
исключить.
4. В пункте 4.1.3.2 раздела 3 цифры "10000" заменить цифрами
"150000".
5. Пункт 1 раздела 2 "Общее примечание по программному
обеспечению" примечаний к Списку дополнить особым примечанием
следующего содержания:
"Особое примечание.
По пункту 1 общего примечания по программному обеспечению не
освобождается от контроля программное обеспечение по части 2
Категории 5.".
6. В разделе 3 "Определение терминов, используемых в Списке"
примечаний к Списку:
после определения термина "Отклонение углового положения"
включить следующий термин и его определение:
"Относительная ширина полосы частот - мгновенная ширина
полосы частот, деленная на среднюю частоту несущей, выраженная в
процентах (Категория 3).";
после определения термина "Разрешение" включить следующий
термин, его определение и особое примечание к нему:
"Распределяемые Международным союзом электросвязи -
распределение частотных диапазонов в соответствии с Радиоуставом
Международного союза электросвязи (издание 1998 года) для
первичных, разрешенных и вторичных служб (Категории 3, 5).
Особое примечание.
Дополнительное и альтернативное распределение не включается.".
___________
</p>