Показать предыдущую страницу документа Показать следующую страницу документа
<p>состояния сварочной дуги
12.5.3. Технологии разработки или
производства проволоки,
наплавочного материала и
фитильных или покрытых электродов
для сварки изделий из титана,
алюминия и высокопрочной стали, а
также композиции материалов
покрытий и сердцевин электродов
12.5.4. Технологии разработки или
производства металлических
конструкций и компонентов методом
электронно-лучевой сварки с
использованием машинного
управления технологическим
процессом
12.5.5. Технологии разработки или
производства систем и
оборудования, указанных в
пункте 12.1.2.
КАТЕГОРИЯ 13. ЭЛЕКТРОНИКА
13.1. Системы, оборудование и компоненты
13.1.1. Радиоэлектронные системы и
оборудование, специально
разработанные для защиты
информации от негласного доступа
13.1.2. Генераторы (синтезаторы) сигналов, 8543 20 000 0
в том числе программируемые,
работающие в диапазоне частот от
1215 МГц до 1615 МГц
13.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование -
нет
13.3. Материалы - нет
13.4. Программное обеспечение
13.4.1. Программное обеспечение для
разработки и производства
электрических и механических
элементов антенн, а также для
анализа тепловых деформаций
конструкций антенн
13.4.2. Программное обеспечение для
разработки, производства или
применения космических элементов
спутниковой системы связи и их
элементов, таких, как:
13.4.2.1. Развертываемых антенн, а также
механизмов их развертывания,
включая контроль поверхности
антенн при их изготовлении и
динамический контроль развернутых
антенн;
13.4.2.2. Антенных решеток с фиксированной
апертурой, включая контроль их
поверхности при производстве;
13.4.2.3. Антенных решеток, состоящих из
линейки рупорных излучателей,
формирующих диаграмму
направленности путем изменения
фазы сигнала и установки нуля
диаграммы направленности на
источник помех;
13.4.2.4. Микрополосковых фазированных
антенных решеток, включая
компоненты для формирования нуля
диаграммы в направлении на
источник помех;
13.4.2.5. Трактов передачи энергии от
передатчика к антенне,
обеспечивающих хорошее их
согласование;
13.4.2.6. Антенн и компонентов на основе
композиционных материалов для
достижения требуемых
характеристик прочности и
жесткости при минимальном весе,
стабильности длительной их работы
в широком диапазоне температур
13.4.3. Программное обеспечение для
разработки, производства или
применения полосовых фильтров с
полосой пропускания менее 0,1 %
или более 10 % среднего значения
частоты
13.4.4. Программное обеспечение для
разработки или производства
аппаратуры, указанной в
пунктах 13.5.5.1 - 13.5.5.5
13.4.5. Программное обеспечение,
специально разработанное для
использования в системах и
оборудовании, указанных в
пункте 13.1.1
13.4.6. Программное обеспечение для
разработки или производства
элементов электровакуумных
СВЧ-приборов, указанных в
пунктах 13.5.3.4.1 - 13.5.3.4.3
13.4.7. Программное обеспечение,
предназначенное для использования
в генераторах (синтезаторах)
сигналов, указанных в пункте
13.1.2
13.5. Технология
13.5.1. Технологии, связанные с
разработкой, производством или
применением вакуумной электроники,
акустоэлектроники и
сегнетоэлектрики:
13.5.1.1. Технологии разработки,
производства или применения
оборудования с цифровым
управлением, позволяющего
осуществлять автоматическую
ориентацию рентгеновского луча и
коррекцию углового положения
кварцевых кристаллов с
компенсацией механических
напряжений, вращающихся по двум
осям при величине погрешности
10 угловых секунд или менее,
которая поддерживается
одновременно для двух осей
вращения;
13.5.1.2. Технологии разработки,
производства или применения
оборудования для равномерного
покрытия поверхности мембран,
электродов и волоконно-оптических
элементов монослоями биополимеров
или биополимерных композиций
13.5.2. Технологии разработки,
производства или применения
криогенной техники:
13.5.2.1. Технологии разработки,
производства или применения
низкотемпературных контейнеров,
криогенных трубопроводов или
низкотемпературных рефрижераторных
систем закрытого типа,
разработанных для получения и
поддержания регулируемых
температур ниже 100 К и пригодных
для использования на подвижных
наземных, морских, воздушных и
космических платформах
13.5.3. Технологии разработки,
производства или применения
источников микроволнового
излучения (в том числе СВЧ-
излучения) средней мощностью
более 3 МВт с энергией в импульсе
более 10 кДж:
13.5.3.1. Технологии разработки,
производства или применения мощных
переключателей, таких, как
водородные тиратроны и их
компонентов, в том числе устройств
получения длительных (до 30 с)
импульсов;
13.5.3.2. Технологии разработки,
производства или применения
волноводов и их компонентов, в том
числе:
13.5.3.2.1. Массового производства одно- и
двухгребневых волноводов и
высокоточных волноводных
компонентов;
13.5.3.2.2. Механических конструкций
вращающихся сочленений;
13.5.3.2.3. Устройств охлаждения
ферромагнитных компонентов;
13.5.3.2.4. Прецизионных волноводов
миллиметровых волн и их
компонентов;
13.5.3.2.5. Ферритовых деталей для
использования в ферромагнитных
компонентах волноводов;
13.5.3.2.6. Ферромагнитных и механических
деталей для сборки ферромагнитных
узлов волноводов;
13.5.3.2.7. Материалов типа "диэлектрик-
феррит" для управления фазой
сигнала и уменьшения размеров
антенны;
13.5.3.3. Технологии разработки,
производства или применения СВЧ-
и ВЧ-антенн, специально
предназначенных для ускорения
ионов
13.5.3.4. Технологии разработки или
производства следующих элементов
электровакуумных СВЧ-приборов:
13.5.3.4.1. Безнакальных и вторично-
эмиссионных эмиттеров;
13.5.3.4.2. Высокоэффективных эмиттеров
с плотностью тока катода более
10 А/кв. см;
13.5.3.4.3. Электронно-оптических и
электродинамических систем для
многорежимных ламп бегущей волны
(ЛБВ), многолучевых приборов и
гиротронов
13.5.4. Технологии, связанные с
исследованием проблем
распространения радиоволн в
интересах создания перспективных
систем связи и управления:
13.5.4.1. Технологии разработки,
производства или применения
средств КВ-радиосвязи:
13.5.4.1.1. Технологии разработки,
производства или применения
автоматически управляемых
КВ-радиосистем, в которых
обеспечивается управление
качеством работы каналов связи;
13.5.4.1.2. Технологии разработки,
производства или применения
устройств настройки антенн,
позволяющих настраиваться на любую
частоту в диапазоне от 1,5 МГц до
88 МГц, которые преобразуют
начальный импеданс антенны с
коэффициентом стоячей волны от 3-1
или более до 3-1 или менее, и
обеспечивающих настройку при
работе в любом из следующих
режимов:
а) в режиме приема за время 200 мс
или менее;
б) в режиме передачи за время
200 мс или менее при уровнях
мощности менее 100 Вт и за 1 с или
менее при уровнях более 100 Вт;
13.5.4.2. Технологии разработки,
производства или применения
широкополосных передающих антенн,
имеющих коэффициент перекрытия
частотного диапазона в пределах 10
и более и коэффициент стоячей
волны не более 4;
13.5.4.3. Технологии разработки,
производства или применения
станций радиорелейной связи,
использующих эффект тропосферного
рассеяния, и их компонентов,
таких, как:
13.5.4.3.1. Усилителей мощности для работы в
диапазоне частот от 300 МГц до
8 ГГц, использующих жидкостно- и
пароохлаждаемые электронные лампы
мощностью более 10 кВт или лампы с
воздушным охлаждением мощностью
2 кВт или более и коэффициентом
усиления более 20 дБ, включая
усилители, объединенные со своими
источниками электропитания;
13.5.4.3.2. Приемников с уровнем шумов менее
3 дБ;
13.5.4.3.3. Специальных микроволновых
гибридных интегральных схем;
13.5.4.3.4. Фазированных антенных решеток,
включая их распределенные
компоненты для формирования луча;
13.5.4.3.5. Адаптивных антенн, способных к
установке нуля диаграммы
направленности в направлении на
источник помех;
13.5.4.3.6. Средств радиорелейной связи для
передачи цифровой информации со
скоростью более 2,1 Мбит/с и более
1 бит/цикл;
13.5.4.3.7. Средств радиорелейной
многоканальной (более 120 каналов)
связи с разделением каналов по
частоте;
13.5.4.4. Технологии разработки,
производства или применения
космических спутниковых систем
связи и их элементов, таких, как:
13.5.4.4.1. Развертываемых антенн, а также
механизмов их развертывания,
включая контроль поверхности
антенн при их изготовлении и
динамический контроль развернутых
антенн;
13.5.4.4.2 Антенных решеток с фиксированной
апертурой, включая контроль их
поверхности при производстве;
13.5.4.4.3. Антенных решеток, состоящих из
линейки рупорных излучателей,
формирующих диаграмму
направленности путем изменения
фазы сигнала и установки нуля
диаграммы направленности на
источник помех;
13.5.4.4.4. Микрополосковых фазированных
антенных решеток, включая
компоненты для формирования нуля
диаграммы в направлении на
источник помех;
13.5.4.4.5. Трактов передачи энергии от
передатчика к антенне,
обеспечивающих хорошее их
согласование;
13.5.4.4.6. Антенн и компонентов на основе
композиционных материалов для
достижения требуемых
характеристик прочности и
жесткости при минимальном весе,
стабильности длительной их работы
в широком диапазоне температур,
включая технологии для
стабилизации параметров в процессе
изготовления компонентов из
эпоксидных смол с графитовым
наполнением;
13.5.4.5. Технологии разработки или
производства усилителей мощности,
предназначенных для применения в
космосе и имеющих одно из
следующих устройств и
особенностей:
а) приборы с теплообменными
устройствами, содержащими схемы
теплопередачи от элемента к
поглотителю тепла мощностью более
25 Вт с площади 900 кв. см;
б) блоки, работающие на частотах
18 ГГц или обеспечивающие
следующие мощности: 10 Вт на
частоте 0,5 ГГц, или 5 Вт на
частоте 2 ГГц, или 1 Вт на частоте
11 ГГц;
в) высоковольтные источники
питания, имеющие соотношение
мощность/масса и
мощность/габариты более 1 Вт/кг и
1 Вт на 320 кв. см
13.5.5. Технологии, связанные с
разработкой методов и способов
радиоэлектронной разведки и
подавления:
13.5.5.1. Технологии разработки,
производства или применения
средств радиоэлектронной разведки
и подавления, таких, как:
13.5.5.1.1. Систем разведки и подавления,
управляемых оператором или
работающих автоматизировано
и разработанных для перехвата и
анализа сигналов, подавления и
нарушения нормальной работы систем
связи всех типов или навигации;
13.5.5.1.2. Приемников, работающих с
сигналами, имеющими коэффициент
сжатия, превышающий 100;
13.5.5.2. Технологии разработки,
производства или применения
приемников, использующих
дисперсионные фильтры и
конвольверы с уровнем побочных
сигналов на 20 дБ ниже основного
сигнала;
13.5.5.3. Технологии разработки,
производства или применения
приемопередающих устройств,
предназначенных для обнаружения,
перехвата, анализа, подавления
сигналов, в том числе с модуляцией
распределенным спектром;
13.5.5.4. Технологии разработки,
производства или применения
устройств автоматической настройки
антенны, обеспечивающих ее
перестройку со скоростью не менее
30 МГц/с;
13.5.5.5. Технологии разработки,
производства или применения
средств автоматического
определения направления, способных
считывать пеленги со скоростями не
менее одного пеленга в секунду;
13.5.5.6. Технологии разработки,
производства или применения
генераторов (синтезаторов)
сигналов, в том числе
программируемых, с
характеристиками, указанными в
пункте 13.1.2
13.5.6. Технологии разработки,
изготовления или применения
запоминающих устройств (ЗУ) на
тонких пленках, такие, как:
13.5.6.1. Технологии разработки,
производства или применения ЗУ на
центральных магнитных доменах
(ЦМД);
13.5.6.2. Технологии разработки,
производства или применения
материалов и оборудования для
изготовления ЗУ на ЦМД;
13.5.6.3. Технологии выращивания и обработки
материалов для изготовления
подложек ЗУ на магнитных доменах,
например, из материала на основе
галлий-гадолиниевого граната;
13.5.6.4. Технологии эпитаксиального
выращивания пленок для ЗУ на ЦМД;
13.5.6.5. Технологии осаждения пермаллоя и
диэлектрика и создания рисунка с
пространственным разрешением лучше
10 мкм, включая
металлизацию напылением или
испарением и ионное фрезерование;
13.5.6.6. Технологии компоновки и сборки ЗУ
на ЦМД;
13.5.6.7. Технологии разработки ионных
имплантантов и ЗУ с
соприкасающимися дисками и методы
создания рисунка
13.5.7. Технологии разработки,
производства или применения ЗУ
на проволоке с гальваническим
покрытием:
13.5.7.1. Технологии разработки или
производства ЗУ на проволоке с
гальваническим покрытием, включая:
а) подготовку бериллиево-медной
подложки для обеспечения чистой и
однородной поверхности;
б) покрытие медью для обеспечения
требуемых плотности и
шероховатости проволоки;
в) конструирование устройств для</p>